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BC技術中HoFCVD的顛覆性應用示例

BC技術中HoFCVD的顛覆性應用示例

  • 分類：技術服務
  • 作者：Haibin Huang
  • 來源：
  • 發布時間：2025-07-18
  • 訪問量：0

【概要描述】

BC技術中HoFCVD的顛覆性應用示例

【概要描述】

  • 分類：技術服務
  • 作者：Haibin Huang
  • 來源：
  • 發布時間：2025-07-18
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詳情

漢可公司基于熱絲CVD(HoFCVD)的鍍膜原理，開發了一系列適用于背接觸(BC)太陽電池鍍膜用的HoFCVD裝備。在此基礎上成功開發了低溫（室溫~200℃）制備高質量i-a-Si:H、n/p-a-Si:H、SiNx:H、SiNxOy:H、SiOx:H薄膜技術，并將之應用于BC電池的前、后表面的鈍化、減反射和封裝。

 

具體對于BC電池迎光表面或背光面，可以實現在一臺設備上，通過連續腔體，在不破真空的情況下實現以下復合膜層的制備：

 

1. 鈍化減反射復合膜層：低溫SiNx:H、SiNxOy、SiOx:H薄膜。

2. 場鈍化膜層+鈍化減反射復合結構膜層： 

 

                                                         (1) i-a-Si:H+SiNx:H

(2) i-a-Si:H+n-a-Si:H+SiNx:H

 

 

HoFCVD制備SiNx:H、SiNxOy:H薄膜，具有如下特點：

 

① 低溫制備（室溫~200℃，高溫亦適用）

② 致密性好

③ 耐腐蝕性好

④ 防水汽、氣體侵蝕能力強

⑤ 覆形能力好（適合絨面或凹凸面）

⑥ 鈍化效果好：無等離子體損傷（在砷化鎵、氮化鎵芯片上已經取代PECVD）

 

性能方面，漢可HoFCVD與PECVD相比具有如下優勢：

 

 

成本方面，漢可HoFCVD與PECVD相比，成本可降至PECVD的50%以下，甚至更低。

除了制備低溫本征/摻雜a-Si:H、SiNx:H、SiNxOy:H和SiOx:H膜外，HoFCVD還可以制備p型或n型的μc-Si或poly-Si等薄膜。目前，漢可HoFCVD制備的膜層種類及應用領域如下表所示：

 

 

由于HoFCVD無繞鍍、無粉塵、低溫制備，特別適用于在圖形化結構表面制備保形薄膜。隨著更多行業伙伴的加入，一定可以擴大其應用范圍，為光伏電池效率提升、產業技術升級貢獻更多的力量。

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